奈米ATO|纳米氧化锡锑粉体 纳米ATO导电粉|纳米ATO抗静电粉

30纳米ATO导电隔热粉 概要 SnO2是一禁带宽达3.8eV的绝缘体，当产生O空位或掺杂F、Sb等元素后，形成n型半导体，其中锑掺杂二氧化锡（简称ATO）具有优良的电学性能和光学性能。作为抗静电材料广泛应用在涂料、化纤、高分子膜等方面，显示出比其它抗静电材料如石墨、表面活性剂、金属粉较大的优越性，如耐候性、耐磨性、分散性。此外在光电显示器件、液晶显示（LCD）、透明电极、太阳能电池、建筑用低辐射率等玻璃、催化等领域有广泛的应用。 技术指标 型号 SS- A30 成分 SnO2：Sb2O3=90：10或其他配比 外观 蓝灰色细粉末 粒径 30-50nm 含量 ≥99.9% 比表面积 45-75㎡/g 耐热性 1100℃ 电阻率 0.15-0.20Ωcm 产品特性 1.ATO具有优良的电学和光学性质.利用起良好的导电性,作为抗静电剂广泛应用在涂料、化纤、高分子膜等领域； 2.ATO在耐活性、热塑性、耐磨性、分散性、安全性等方面远好于其他抗静电材料,如石墨、表面活性剂、金属粉等； 3.ATO是一种多功能导电材料，它具有高导电性，浅色透明性，耐侯性，抗辐射性等众多优良特性。 应用 1、涂料、化纤、高分子膜等方面，用于静电屏蔽； 2、光电显示器件、液晶显示（LCD）、透明电极、太阳能电池； 3、汽车玻璃、建筑用低辐射率等玻璃； 4、催化领域 等 包装 大货包装：20KG/桶 样品包装：1KG/袋 杭州吉康新材料有限公司提供