氮化硼制品-半导体扩散源氮化硼垫片-氮化硼P型片状扩散源-氮化硼固态扩散源

化学组成BN%：99% 其他成分：no 密度：＞2.15g/cm3 里氏硬度：450HL 抗弯强度：95Mpa 热膨胀系数（25℃-1200℃）：1~2（10-6/K) 热导率（常温）：35W/mk *高使用温度：空气900℃、真空1600℃、惰性气氛1800℃ 常温电阻率：＞1014Ω.cm 产品优势 ● 采用国际先进工艺高温氮化硼原料，确保材料纯度及耐高温性能。 ● 材料致密度高，抗氧化性能好，导热性好，加工精度高，尤其适用于半导体、微电子等设备配件的用途。 ● 具备高耐热性、低热膨胀系数、良好的抗热震性能以及良好的耐腐蚀性。 典型应用 ● 应用于半导体行业的扩散源、离子注入设备备件等。 ● MOCVD绝缘板，半导体单晶及III－V族化合物合成用的坩埚、基座等。 ● 应用于分子束外延，原位合成GaAs 、InP 、GaP单晶的LEC系列坩埚等。 专业服务 ● 免费为客户提供样品，为您提供满意的质量和服务。 ● 接受试销订单，可以寄送单个样品，并提供大宗订单折扣。 ● 设备先进，加工精度高，尺寸规格多，可按照客户要求定制。 ● 100%的产品保证，及时跟进客户的反馈意见；海外订单,如果有任何质量问题,请提供照片显示问题通过电子邮件，我们将根据实际情况提供替代品。 我司根据客户要求，提供各种规格氮化硼制品件、精密件（严格按客户图纸或来样加工）。欢迎来电详询！