高纯氧化铟，三氧化二铟

高纯氧化铟，三氧化二铟（In2O3）99.99% -99.999% 　　 　　1，技术对接：气相沉积CVD—采用高频加热，高纯氩气携带铟蒸气进入反应室与过量的氧气O2，气相沉积而成。 　　2，纯度：99.999%or 5N。 　　3，检验：XRD 　　注：所有的杂质元素（包括过渡元素，稀土元素）都低于1ppm 　　4，包装：三层真空包装。 　　5，用途：主要用于红外光纤；透明电极和电子元件材料。 　　6，服务：提供MSDS 及其防护措施，免费样品。 　　7，交期：7-10天/10Kgs。